Infineon OptiMOS Power Transistor P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 6,7 A, 8-Pin PG-TSDSON-8 FL

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-800
Herst. Teile-Nr.:
ISZ56DP15LMATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

6,7 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Serie

OptiMOS Power Transistor

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8 FL

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Infineon MOSFET ist ein OptiMOS-Leistungstransistor, der eine innovative Lösung für hocheffizientes Power-Management darstellt. Dieser vielseitige P-Kanal-MOSFET wurde speziell für Anwendungen mit hoher und niedriger Schaltfrequenz entwickelt. Das Gerät verfügt über einen robusten Wärmewiderstand und gewährleistet eine zuverlässige Leistung auch unter schwierigen Betriebsbedingungen. Mit seiner Pb-freien Bleiplattierung und der Einhaltung der RoHS-Normen verkörpert dieser Transistor umweltfreundliche Praktiken bei gleichzeitiger Beibehaltung außergewöhnlicher elektrischer Eigenschaften. Der OptiMOS ist vollständig für industrielle Anwendungen validiert und zu 100 % Avalanche-getestet. Er erhöht nicht nur die Systemzuverlässigkeit, sondern verbessert auch die Gesamtenergieeffizienz und ist damit die ideale Wahl für moderne elektronische Designs.

Optimiert für hervorragende thermische Leistung
Halogenfrei für umweltfreundliche Anwendungen
Robust unter verschiedenen industriellen Bedingungen
Logikpegelsteuerung für vereinfachte Kontrolle
Validiert nach JEDEC-Standards
Einfache Integration in Stromkreise

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