Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 24 A 43 W, 8-Pin PG-TSDSON-8

Der Infineon-MOSFET wurde entwickelt, um die hohen Anforderungen moderner elektronischer Anwendungen zu erfüllen und bietet optimale Effizienz und Zuverlässigkeit. Die Advanced OptiMOS 6-Technologie ermöglicht es dieser Komponente, eine außergewöhnliche Leistung unter verschiedenen Betriebsbedingungen zu liefern, wodurch sie eine TOP-Wahl für Ingenieure und Entwickler bleibt. Sein robustes Design spiegelt eine sorgfältige Balance zwischen hohen Schaltgeschwindigkeiten und niedrigem Einschaltwiderstand wider, was ihn zu einem ausgezeichneten Kandidaten für Hochfrequenzanwendungen wie Synchrongleichrichtung und Leistungsmanagement macht. Der Transistor eignet sich besonders gut für industrielle Umgebungen, da seine thermische Leistung sowohl für große Betriebsbereiche als auch für hohe Belastungen geeignet ist.

Optimiert für hochfrequentes Schalten