Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
165-5963
Herst. Teile-Nr.:
IRF9328TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

19,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.4V

Gate-Schwellenspannung min.

1.3V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

18 nC @ 4,5 V, 35 nC @ 10 V

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon


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MOSFET-Transistoren, Infineon


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