Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 74 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 124-8993
Herst. Teile-Nr.:: IRF4905SPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 74 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 124-8993
Herst. Teile-Nr.:: IRF4905SPBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	74 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	20 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	3,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.54mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	180 nC @ 10 V
Breite	8.81mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	4.69mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 74 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

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