Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 240 A 300 W, 7-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 15,65

(ohne MwSt.)

€ 18,80

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1 240 Einheit(en) mit Versand ab 25. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20€ 3,13€ 15,65
25 - 45€ 2,754€ 13,77
50 - 120€ 2,566€ 12,83
125 - 245€ 2,41€ 12,05
250 +€ 2,222€ 11,11

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-4453
Herst. Teile-Nr.:
IRF3805STRL-7PP
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

240A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.6mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

200nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen.

Er ist bleifrei

Verwandte Links