Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
262-6744
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-670
Herst. Teile-Nr.:
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieses Design verfügt über Merkmale wie eine Betriebstemperatur von 175 °C und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.

Vollständig lawinenbeständig

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