Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 240 A 300 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-4452
Herst. Teile-Nr.:
IRF3805STRL-7PP
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

240A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.6mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

200nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen.

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