Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63 A, 8-Pin PQFN 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
217-2610
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5110TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

63 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

PQFN 5 x 6

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

12,4 mO

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Infineon 100 V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem PQFN-Gehäuse.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Normaler Pegel: Optimiert für 10-V-Gate-Ansteuerspannung
SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

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