Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 362 A, 8-Pin PG-HSOF-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-686
Herst. Teile-Nr.:
IPT014N10N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

362 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der Infineon-MOSFET verfügt über ein innovatives Modul, das außergewöhnliche Leistung und Effizienz für Leistungswandlungsanwendungen bietet. Mit modernster Technologie entwickelt, verbessert es das Wärmemanagement und reduziert Energieverluste. Es ist auf Schaltanwendungen zugeschnitten und bietet robuste Lösungen für eine Reihe von industriellen Anwendungen. Sein kompaktes Design und seine hervorragenden Spezifikationen machen ihn ideal für verschiedene Anwendungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Langlebigkeit. Dieses Produkt wurde entwickelt, um anspruchsvollen Betriebsumgebungen standzuhalten und gleichzeitig eine erstklassige Effizienz zu gewährleisten, so dass Sie Ihre Systeme mühelos optimieren können. Freuen Sie sich auf die Zukunft des Stromversorgungsmanagements mit einem Produkt, das fortschrittliche Funktionen mit praktischem Nutzen verbindet, Ihren Entwicklungsprozess rationalisiert und während des gesamten Betriebs eine hohe Effizienz gewährleistet.

Optimiert für hohe Frequenz und Effizienz
Robuste thermische Leistung für Zuverlässigkeit
Kompakter Formfaktor für enge Räume
Erhöhte Leistungsdichte für fortschrittliche Anwendungen
Unterstützung einer Vielzahl von Betriebsbedingungen
Schlankes Design für einfache Integration
Umweltfreundlich und energiesparend

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