Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 168-5991
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5250DTRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

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RS Best.-Nr.:: 168-5991
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5250DTRPBF
Hersteller:: Infineon

IRFH5250DPbF, HEXFET Power MOSFET 25V
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	25 V
Gehäusegröße	PQFN 5 x 6
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	2,2 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.35V
Gate-Schwellenspannung min.	1.35V
Verlustleistung max.	156 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	83 nC @ 10 V
Breite	5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	0.85mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1V

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 25 V, Infineon

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