Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
168-5991
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5250DTRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

25 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN 5 x 6

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

2,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.35V

Gate-Schwellenspannung min.

1.35V

Verlustleistung max.

156 W

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

83 nC @ 10 V

Breite

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diodendurchschlagsspannung

1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

0.85mm

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 25 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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