Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 280 A 156 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
258-3972
Herst. Teile-Nr.:
IRFH8303TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

280A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5 mm

Höhe

0.9mm

Länge

6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breites Portfolio verfügbar

Erhöhte Leistungsdichte

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