Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -5.1 A 1.4 W, 6-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
257-9391
Herst. Teile-Nr.:
IRFHS9351TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-5.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

290mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

1.4W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.9nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

0.9mm

Breite

2 mm

Automobilstandard

Nein

Die IRFHS-Serie von Infineon ist ein robustes IRFET-Leistungs-Mosfet mit zwei P-Kanälen von -30 V in einem PQFN 2x2-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Niedriger RDS (Ein) in einem kleinen Gehäuse

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