Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 600 mA 2 W, 6-Pin TSOP

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304-36-986
Herst. Teile-Nr.:
IRF5801TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

600mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TSOP

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.5 mm

Länge

3mm

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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