Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 0.9 A 2 W, 6-Pin TSOP-6

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RS Best.-Nr.:
257-9290
Herst. Teile-Nr.:
IRF5802TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TSOP-6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs, die bewährte Siliziumprozesse nutzt und Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten bietet, um verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen zu unterstützen.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

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