Vishay SQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.8 A 4 W, 6-Pin TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 268-8353
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ3456CEV-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SQ3456CEV-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SQ | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.054Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.05mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SQ | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.054Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.05mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET von Vishay für den Kfz-Bereich ist ein blei- und halogenfreies Gerät mit MOSFET-Einzelkonfiguration und SMD-Gerät. Sie ist unabhängig von der Betriebstemperatur.
AEC Q101 qualifiziert
ROHS-konform