Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 0.9 A 2 W, 6-Pin TSOP-6

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 255,00

(ohne MwSt.)

€ 306,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 3 000 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +€ 0,085€ 255,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-9289
Herst. Teile-Nr.:
IRF5802TRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TSOP-6

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs, die bewährte Siliziumprozesse nutzt und Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten bietet, um verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen zu unterstützen.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Verwandte Links