Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 214 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
906-2919
Herst. Teile-Nr.:
IPP020N06NAKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Höhe

15.95mm

Breite

4.57 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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