Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 214 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 906-2919
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP020N06NAKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 19,20
(ohne MwSt.)
€ 23,05
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 195 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 3,84 | € 19,20 |
| 25 - 45 | € 3,454 | € 17,27 |
| 50 - 120 | € 3,226 | € 16,13 |
| 125 - 245 | € 2,996 | € 14,98 |
| 250 + | € 2,804 | € 14,02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 906-2919
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP020N06NAKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 106nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 106nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO-220 FullPAK
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
