Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 69 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
178-7497
Herst. Teile-Nr.:
BSZ042N06NSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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