Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 214 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 165-8160
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP020N06NAKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
€ 127,80
(ohne MwSt.)
€ 153,35
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,556 | € 127,80 |
| 100 - 200 | € 2,428 | € 121,40 |
| 250 + | € 2,185 | € 109,25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-8160
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP020N06NAKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 106nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 106nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.95mm | ||
Breite 4.57 mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO-220 FullPAK
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
