Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
214-4406
Herst. Teile-Nr.:
IPP051N15N5AKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.4mm

Länge

10.2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

15.93mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet den neuesten R DS(on) eines Trench MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.

Er ist ideal für Hot-Swap- und e-fuse-Anwendungen

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