Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 50 A 150 W, 3-Pin IPP200N15N3GXKSA1 TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-4412
Herst. Teile-Nr.:
IPP200N15N3GXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.2mm

Breite

15.93 mm

Höhe

4.4mm

Normen/Zulassungen

No

Distrelec Product Id

304-31-967

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon OptiMOS 3 MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Es ist gemäß JEDEC für die Zielanwendung zugelassen

Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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