Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 21 A 68 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-4381
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD530N15N3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4381
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD530N15N3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 53mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.42mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Länge | 6.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 53mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.42mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.35mm | ||
Länge 6.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon OptiMOS 3 MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Es ist gemäß JEDEC für die Zielanwendung zugelassen
Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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