Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 21 A 68 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-4381
Herst. Teile-Nr.:
IPD530N15N3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

53mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.7nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.35mm

Breite

6.42mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.65mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon OptiMOS 3 MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Es ist gemäß JEDEC für die Zielanwendung zugelassen

Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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