Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 21 A 68 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-4380
Herst. Teile-Nr.:
IPD530N15N3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

53mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.42 mm

Länge

6.65mm

Höhe

2.35mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon OptiMOS 3 MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Es ist gemäß JEDEC für die Zielanwendung zugelassen

Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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