Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 100 A 300 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
752-8340
Herst. Teile-Nr.:
IPB072N15N3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.45 mm

Höhe

4.57mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.31mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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