Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 87 A 139 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-395
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC088N15LS5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 87A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 87A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Infineon OptiMOS 5 Power MOSFET Logic Level 150 V Familie bietet die gleiche exzellente Leistung wie die OptiMOS 5 150 V Produkte und kann mit nur 4,5 V Vgs betrieben werden. Sie zeichnet sich durch ein verbessertes Wärmemanagement und eine geringere Systemkomplexität aus.
Sehr geringe Schaltverluste
Zugeschnitten auf SR, die 5 V liefern
Hocheffiziente Konstruktionen
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