Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 112 A 214 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
214-4408
Herst. Teile-Nr.:
IPP076N15N5AKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

112A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.2mm

Höhe

4.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

15.93 mm

Automobilstandard

Nein

Der 600-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.

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