Infineon OptiMOSa5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 112 A 214 W, 3-Pin PG-TO262-3

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 4,52

(ohne MwSt.)

€ 5,42

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 459 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 4,52
10 - 24€ 4,13
25 - 49€ 3,78
50 - 99€ 3,47
100 +€ 3,24

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-3014
Herst. Teile-Nr.:
IPI076N15N5AKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

112A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

PG-TO262-3

Serie

OptiMOSa5

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFETs von Infineon sind besonders geeignet für Niederspannungsantriebe wie Gabelstapler und E-Roller sowie für Telekommunikations- und Solaranwendungen.

Höhere Leistungsdichte

Robuster Produkte

Reduzierung der Systemkosten

Verwandte Links