Infineon IPA Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 48 A 25 W, 3-Pin PG-TO220-3

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RS Best.-Nr.:
348-987
Herst. Teile-Nr.:
IPAN60R180CM8XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

48A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PG-TO220-3

Serie

IPA

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die Infineon CoolMOS-Plattform der 8. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600 V CoolMOS CM8-Serie ist der Nachfolger des CoolMOS 7. Sie vereint die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit, z. B. geringer Klingeltendenz, integrierter schneller Body-Diode (CFD) für alle Produkte mit herausragender Robustheit gegenüber harter Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit.

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Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen und Leistungsbereichen

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