Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 98 A 158 W, 3-Pin PG-TO220-3

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RS Best.-Nr.:
349-117
Herst. Teile-Nr.:
IPP073N13NM6AKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

98A

Drain-Source-Spannung Vds max.

135V

Gehäusegröße

PG-TO220-3

Serie

IPP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

158W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 200 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für einen hohen Wirkungsgrad in Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Die wichtigsten Merkmale umfassen einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), der Leitungsverluste minimiert, und ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) für eine hervorragende Schaltleistung. Außerdem zeichnet er sich durch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) aus, was den Wirkungsgrad erhöht und die Schaltverluste verringert. Das Gerät ist mit einem hohen Avalanche-Energiewert ausgestattet, wodurch es für anspruchsvolle Bedingungen geeignet ist, und kann bei einer hohen Temperatur von 175°C betrieben werden, wodurch die Zuverlässigkeit auch in rauen Umgebungen gewährleistet ist.

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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