Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 212 A 294 W, 8-Pin PG-HSOG-8

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RS Best.-Nr.:
349-137
Herst. Teile-Nr.:
IPTG029N13NM6ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

212A

Drain-Source-Spannung Vds max.

135V

Gehäusegröße

PG-HSOG-8

Serie

IPT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

294W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

104nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

J-STD-020, RoHS, IEC61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 135 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für eine hohe Effizienz in Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und so die Energieeffizienz erhöht. Mit einem ausgezeichneten Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) gewährleistet er eine optimale Schaltleistung. Der MOSFET bietet außerdem eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr), was die Schalteffizienz verbessert. Darüber hinaus ist er zu 100 % Avalanche-getestet und kann bei 175 °C betrieben werden, wodurch er sich für hohe Temperaturen und anspruchsvolle Umgebungen eignet.

Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-Konformität

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

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