Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 135 V / 297 A 395 W, 16-Pin PG-HSOF-16

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RS Best.-Nr.:
349-133
Herst. Teile-Nr.:
IPTC020N13NM6ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

297A

Drain-Source-Spannung Vds max.

135V

Gehäusegröße

PG-HSOF-16

Serie

IPT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

16

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

159nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

395W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hoch entwickelte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er bietet einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), wodurch Leitungsverluste reduziert und die Effizienz erhöht werden. Der MOSFET verfügt über ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) für eine hervorragende Schaltleistung. Er zeichnet sich außerdem durch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) aus, wodurch die Effizienz bei Schaltvorgängen optimiert wird. Mit einer hohen Avalanche-Energieleistung gewährleistet er Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen und arbeitet effektiv bei 175 °C, was ihn ideal für Umgebungen mit hohen Temperaturen macht.

Optimiert für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-Konformität

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

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