Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 120 V / 331 A 395 W, 8-Pin PG-HSOG-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-135
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG017N12NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 331A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | PG-HSOG-8 | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 113nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, MSL1 J-STD-020, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 331A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße PG-HSOG-8 | ||
Serie IPT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 113nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, MSL1 J-STD-020, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der minimale Leitungsverluste für eine verbesserte Leistung gewährleistet. Mit einem hervorragenden Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) ermöglicht er hervorragende Schalteigenschaften. Der MOSFET hat auch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr), was zu geringeren Schaltverlusten beiträgt. Seine hohe Avalanche-Energieleistung sorgt für Robustheit unter Stress, und er arbeitet zuverlässig bei einer Temperatur von 175 °C, wodurch er sich für anspruchsvolle Umgebungen mit hohen Temperaturen eignet.
Optimiert für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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