Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 137 A 300 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-130
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT067N20NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 137A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, IEC61249-2-21, 100% Avalanche Tested, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 137A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, IEC61249-2-21, 100% Avalanche Tested, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 200 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste minimiert werden. Das exzellente Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) sorgt für eine hervorragende Schaltleistung, während die sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) zu einem effizienten Betrieb beiträgt. Mit einer hohen Avalanche-Energieleistung bietet er eine verbesserte Robustheit und kann bei 175°C betrieben werden, was ihn auch in rauen Umgebungen zuverlässig macht.
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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