Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 331 A 300 W, 8-Pin PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
273-2792
Herst. Teile-Nr.:
IPT014N08NM5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

331A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

IPT

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der MOSFET von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET mit 80 V und für batteriebetriebene Anwendungen optimiert. Er ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist vollständig gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen qualifiziert und halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

RoHS-konform

Bleifreie Beschichtung

Exzellente Gate-Ladung

Sehr geringer Widerstand

Zu 100 Prozent auf Lawinendurchbruch getestet

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