Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 136 A 300 W, 3-Pin PG-TO220-3

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RS Best.-Nr.:
349-410
Herst. Teile-Nr.:
IPP069N20NM6AKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

136A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

PG-TO220-3

Serie

IPP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, RoHS, J-STD-020

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 200 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für einen hohen Wirkungsgrad in Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Die wichtigsten Merkmale umfassen einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), der Leitungsverluste minimiert, und ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) für eine hervorragende Schaltleistung. Außerdem zeichnet er sich durch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) aus, was den Wirkungsgrad erhöht und die Schaltverluste verringert. Das Gerät ist mit einem hohen Avalanche-Energiewert ausgestattet, wodurch es für anspruchsvolle Bedingungen geeignet ist, und kann bei einer hohen Temperatur von 175°C betrieben werden, wodurch die Zuverlässigkeit auch in rauen Umgebungen gewährleistet ist.

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

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