Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 136 A 300 W, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 349-410
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP069N20NM6AKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 136A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | IPP | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS, J-STD-020 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 136A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie IPP | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS, J-STD-020 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 200 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für einen hohen Wirkungsgrad in Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Die wichtigsten Merkmale umfassen einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), der Leitungsverluste minimiert, und ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) für eine hervorragende Schaltleistung. Außerdem zeichnet er sich durch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) aus, was den Wirkungsgrad erhöht und die Schaltverluste verringert. Das Gerät ist mit einem hohen Avalanche-Energiewert ausgestattet, wodurch es für anspruchsvolle Bedingungen geeignet ist, und kann bei einer hohen Temperatur von 175°C betrieben werden, wodurch die Zuverlässigkeit auch in rauen Umgebungen gewährleistet ist.
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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