Infineon CoolMOS^TM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 83 W, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 259-1574
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP06N80C3XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,121 | € 56,05 |
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| 250 - 450 | € 1,04 | € 52,00 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-1574
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP06N80C3XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Serie | CoolMOS^TM | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC1, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Serie CoolMOS^TM | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC1, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der coolmostm-Leistungstransistor von Infineon ist eine Schaltanwendung. Dies ist eine industrielle Anwendung mit hoher DC-Massenspannung. Es ist gemäß JEDEC1 für Zielanwendungen qualifiziert.
Extreme dv/dt-Nennleistung
Hohe Spitzenstromleistung
Extrem niedrige Gate-Ladung
Extrem niedrige effektive Kapazitäten
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