Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 906-4485
Herst. Teile-Nr.:: IPD025N06NATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 906-4485
Herst. Teile-Nr.:: IPD025N06NATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	90A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	OptiMOS 5
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	167W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	71nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	6.73mm
	Höhe	2.41mm
	Breite	6.22mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie OptiMOS 5
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 167W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 6.73mm
	Höhe 2.41mm
	Breite 6.22mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 90 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD025N06NATMA1

Dieser N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET ist ein Leistungstransistor, der für oberflächenmontierte Elektronik entwickelt wurde, die robuste Schalt- und Leitungen bei mittleren Spannungswerten erfordert. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Hochstromanwendungen vorgesehen, bei denen geringe Leitungsverluste und eine moderate Gate-Ansteuerung erforderlich sind. Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die automatisierte Montage auf stark belegten Boards geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• 3.8 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für höhere Effizienz
• 90 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt schwere Schaltvorgänge
• Die Nennleistung von 60 V Drain-Source ermöglicht Mittelspannungsdesigns
• Typische Gate-Ladung von 71 nC minimiert den Energiebedarf des Antriebs
• Maximale Verlustleistung von 167 W ermöglicht eine erhöhte Leistungsaufnahme
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht robuste Gate-Drive-Spannen

Anwendungsbereich

• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrücken in industriellen Steuerungen
• Einsatz mit Batteriemanagementsystemen, die hohe Stromstärken erfordern
• Kann für die DC/DC-Umwandlung in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für Leistungsstufen in Server- oder Speicherelektronik

Welchen Temperaturbereich hält das Gerät im Betrieb aus?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und eignet sich für widrige thermische Umgebungen.

Wie ist es für die Montage und Kühlung verpackt?

Die Komponente wird in einem oberflächenmontierbaren TO-252 (DPAK)-Gehäuse geliefert, das für die Montage auf Lötplatten und die Wärmeübertragung auf Kühlkörper entwickelt wurde.

Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich berücksichtigen?

Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten

Antriebsstromkreise sollten so dimensioniert sein, dass sie die typische Gate-Ladung von 71 nC für die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten liefern.

Wie wirkt sich der Kanaltyp auf das Schaltverhalten aus?

Als N-Kanal-Verbesserungsgerät erfordert es eine positive Gate-Spannung für die Leitung und bietet einen geringen Einschaltwiderstand für effiziente Hochstrompfade.