Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
906-4485
Herst. Teile-Nr.:
IPD025N06NATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

71nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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