Infineon CoolMOS CFD N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 11,4 A 104,2 W, 3-Pin TO-247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
897-7646
Herst. Teile-Nr.:
IPW65R310CFDFKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11,4 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS CFD

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

310 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

104,2 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

21.1mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

41 nC @ 10 V

Länge

16.13mm

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Höhe

5.21mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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