Infineon CoolMOS C6 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 20 A 151 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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RS Best.-Nr.:
857-6713
Herst. Teile-Nr.:
IPI65R190C6XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Serie

CoolMOS C6

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

151 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

73 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.36mm

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.57mm

Höhe

9.45mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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