Infineon CoolMOS CFD N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 8,7 A 83,3 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
857-7148
Herst. Teile-Nr.:
IPW65R420CFDFKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8,7 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Serie

CoolMOS CFD

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

420 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

83,3 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

5.21mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

31,5 nC @ 10 V

Länge

16.13mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

21.1mm

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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