Infineon CoolMOS CFD N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 11 A 32 W, 3-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
857-8627
Herst. Teile-Nr.:
IPA65R310CFDXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Serie

CoolMOS CFD

Gehäusegröße

TO-220FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

310 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

32 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

4.85mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.65mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

41 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

16.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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