Infineon CoolMOS CFD N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 11 A 32 W, 3-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
857-8627
Herst. Teile-Nr.:
IPA65R310CFDXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Serie

CoolMOS CFD

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

310 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

32 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

10.65mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

41 nC @ 10 V

Breite

4.85mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

16.15mm

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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