Infineon CoolMOS E6 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 20 A 34 W, 3-Pin TO-220FP

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 500 Stück)*

€ 796,50

(ohne MwSt.)

€ 956,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
500 - 500€ 1,593€ 796,50
1000 - 2000€ 1,552€ 776,00
2500 +€ 1,513€ 756,50

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
857-8615
Herst. Teile-Nr.:
IPA65R190E6XKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Serie

CoolMOS E6

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

34 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.85mm

Länge

10.65mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

73 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

16.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Verwandte Links