Infineon OptiMOS N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 80 A 250 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
857-6987
Herst. Teile-Nr.:
IPP80N06S207AKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

10mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.4mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

86 nC bei 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

15.65mm

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