Infineon OptiMOS N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 205 A, 3-Pin PG-TO220-3

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-888
Herst. Teile-Nr.:
IPP018N10N5AKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

205 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-TO220-3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Die Infineon-MOSFETs sind für außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit ausgelegt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Dank seiner innovativen Struktur ermöglicht er hohe Schaltgeschwindigkeiten bei gleichzeitig geringen Leitungsverlusten und ist damit die ideale Wahl für Power-Management-Systeme und industrielle Anwendungen. Das Produkt zeichnet sich durch seine erstklassige thermische Leistung aus, die einen effektiven Betrieb unter hohen Lastbedingungen ermöglicht. Es ist so konzipiert, dass es eine optimale Leistungsdichte bietet, so dass Platzmangel in Systemen nicht zu Lasten der Leistung geht. Ob in der Automobiltechnik oder in der Technologie für erneuerbare Energien, dieser MOSFET stellt eine robuste Lösung dar, die den Anforderungen des modernen Elektronikdesigns gerecht wird.

Hochgeschwindigkeits-Schaltfunktionen
Geringe Leitungsverluste verbessern die Effizienz
Optimiert für hervorragende thermische Leistung
Robuster Betrieb unter hohen Lastbedingungen
Unterstützt die Anforderungen an eine kompakte Leistungsdichte
Vielseitig für Automobil und erneuerbare Energien

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