Infineon OptiMOS N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 176 A, 3-Pin PG-TO263-3

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RS Best.-Nr.:
284-676
Herst. Teile-Nr.:
IPB018N10N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

176 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Infineon MOSFET verfügt über einen optimos 5-Leistungstransistor, der für Hochfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurde und eine hervorragende Leistung in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet. Dieser fortschrittliche N-Kanal-MOSFET zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand aus, was den Wirkungsgrad deutlich erhöht und die Wärmeentwicklung minimiert. Mit seinem bemerkenswerten Betriebstemperaturbereich ist er für die harten Anforderungen moderner elektronischer Systeme ausgelegt. Sein kompaktes D²PAK-Gehäuse vereinfacht die Integration in verschiedene elektronische Baugruppen und macht ihn zu einer vielseitigen Wahl für Ingenieure, die ihre Designs optimieren wollen. Dieses Gerät wurde gemäß den JEDEC-Normen vollständig qualifiziert, was seine Zuverlässigkeit für industrielle Anwendungen bestätigt.

Ideal für Hochfrequenzschaltungen
Niedriger Einschaltwiderstand verbessert das Energiemanagement
Pb-freie Bleibeschichtung entspricht den Vorschriften
Halogenfreie Konstruktion entspricht den Normen
Optimiert für hervorragende Leistungskennzahlen
Qualifiziert für industrielle Anwendungen
Erweiterte thermische Eigenschaften verbessern die Wärmeableitung

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