Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 100 A 300 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-8728
Herst. Teile-Nr.:
IPP048N12N3GXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

120 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS™ 3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.57mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

137 nC @ 10 V

Länge

10.36mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

15.95mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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