Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 100 A 300 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-8728
Herst. Teile-Nr.:
IPP048N12N3GXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

120 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS™ 3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.57mm

Länge

10.36mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

137 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

15.95mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
CN

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