Infineon OptiMOS T2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A 107 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
826-9339P
Herst. Teile-Nr.:
IPP80N06S4L-05
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS T2

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

107 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

83 nC @ 10 V

Länge

10.36mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.57mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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