Vishay SiR418DP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 23 A 39 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
814-1275
Herst. Teile-Nr.:
SIR418DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

SiR418DP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Durchlassspannung Vf

0.71V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.25mm

Höhe

1.12mm

Breite

5.26mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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