Vishay SiS128LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 33.7 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 7,61

(ohne MwSt.)

€ 9,13

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 0,761€ 7,61
100 - 240€ 0,724€ 7,24
250 - 490€ 0,648€ 6,48
500 - 990€ 0,464€ 4,64
1000 +€ 0,366€ 3,66

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-5153
Herst. Teile-Nr.:
SiS128LDN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiS128LDN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.15mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.07mm

Breite

3.15 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

Verwandte Links