Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 50 A 39 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 1.275,00

(ohne MwSt.)

€ 1.530,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 03. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +€ 0,425€ 1.275,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
165-6938
Herst. Teile-Nr.:
SIR401DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

205nC

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.25mm

Höhe

1.12mm

Breite

5.26 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links